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Si4056DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.15
I D = 15 A
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 °C
0.12
0.09
0.1
0.01
0.001
0.06
0.03
0.00
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
- 0.7
- 1.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μA
200
160
120
80
40
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25 50 75 100
T J - Temperature ( ° C)
125
150
0.001
0.01
0.1
Time (s)
1
10
Threshold Voltage
100
I DM Limited
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
I D Limited
1 ms
1
0.1
Limited by R DS(on) *
10 ms
100 ms
1s
DC
0.01
0.01
T A = 25 °C 10 s
Single Pulse
BVDSS Limited
0.1 1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 62662
S12-1136-Rev. A, 21-May-12
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